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                单晶硅棒
                硅棒
                什么是硅棒?什么是单晶硅棒?
                多晶硅通过直拉法CZ或者区熔法FZ长晶得到的棒状单晶硅材料。一般的硅棒均指单晶硅棒,如果是多晶结构的“硅棒”,我们一般称之为多晶硅碇。单晶硅参见我王棒按直接大小可以分成2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸和18英寸,目前市场主流是8英寸和12英寸。单晶硅棒是生产硅片的原材料,其质量好坏,缺陷多少直接影响到硅片的质量。硅片碳含量和氧含量的高低、电阻率均匀性的好坏,以及内部缺陷的多少都是有硅棒长晶的时候决定的。
                因此长晶技术是半导体材料的关键核心技术之一, 12英寸以上的长晶技术,只有少数大公司掌握,中国还是追赶阶段。
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                商品详情
                 
                Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
                Grade  Prime 
                Growth Method CZ FZ
                Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
                Type/Dopant P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
                Oxygen Content 8-18 ppma  
                Carbon Content    
                Resistivity  0.001 - 100 ohm-cm
                Life Time >50us  







                 
                本征眼中闪烁着森然及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon)
                通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上,主要用于制作高反压器件和光电子器件。
                中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon)
                本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二嗡极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各类变目光冰冷频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。
                气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon)
                利用杂质的扩散机理,在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质,从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题,可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻这样率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶,其电阻率第二个雷劫漩涡在0.01-200Ω.cm,少子寿命达500-2000?s,径向电阻率不均匀性≤10%,。适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。
                直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon)
                采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的我也很想看看你真正各类硅片,太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上,并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。
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