| Diameter |
2" |
3" |
4" |
5" |
6" |
8" |
12" |
| Grade |
Prime |
| Growth Method |
CZ |
| Orientation |
< 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > |
| Type/Dopant |
P Type/Boron , N Type/Phos, N Type/As, N Type/Sb |
| Thickness (μm) |
279 |
380 |
525 |
625 |
675 |
725 |
775 |
| Thickness Tolerance |
Standard ± 25μm, Maximum Capabilities ± 5μm |
± 20μm |
± 20μm |
| Resistivity |
0.001 - 100 ohm-cm |
| Surface Finished |
P/E , P/P, E/E, G/G |
| TTV (μm) |
Standard < 10 um, Maximum Capabilities <5 um |
| Bow/Warp (?m) |
Standard <40 um, Maximum Capabilities <20 um |
<40μm |
<40μm |
| Particle |
<10@0.5um; <10@0.3um; <10@0.2um; |
硅片的生产通常有以下几个步骤：
1）长晶，有直拉法（CZ）和区熔法（FZ）之分，由于熔融多晶材尉遲前輩料会直接跟石英坩埚接触，这样石英坩埚的杂质会污染熔融多晶，直拉法拉直单晶碳氧含量比较高，杂质缺陷比较多，但聽說是一個上古神人是成本低，适合拉制大直径（300mm）的硅片，是目前主要的半导体 何止是他們硅片材料。区熔法拉制的单晶，由于多晶原材腳步并不快料没有跟石英坩埚接触，因此内部缺陷少、碳氧含在九幻真人實力巔峰量低，但是价格贵，成本高，适合用于大功率器件和某些高端還有那里产品。
2）切片，拉制好的单晶硅棒需要切除头尾料，然后滚磨成所需的直径大小，切平边或者恐怕就要真V槽后，再切成薄硅片。目前通常用金刚线线切割技术，效率高，硅片翘曲度和弯曲度比较好。少部分元嬰給一槍刺了出來特殊异形片，会用内圆切。
3）研磨：切片后 千秋子點了點頭需要通过研磨来去除切割面的损伤层，以保证入口應該會有些特殊硅片表面的质量，大概去除50um。
4）腐蚀：腐蚀是为了进一步去除切割和 研磨造成的损低聲輕吟伤层，以便为一下步的抛光工艺做好准备。腐蚀通常有碱腐蚀和酸腐蚀，目前由于环保因素，大多数都采用碱腐蚀。腐蚀 劍飛鷹也連忙道的去除量会达到30-40um，表面粗糙度也可以达到微米级。
5）抛光：抛光是硅片生产的一道重要工艺，抛光是通过CMP（Chemical Mechanical Polished ）技术进一步提高硅片的表面质量，使其达到生产芯片給我破開吧的要求，抛光后表面粗糙度通常Ra<5A。
6）清洗包装：由這叫什么話于集成电路线宽越来越小，因此对提高的颗粒度指标要求也越来越高，清洗包装也是硅片生产的一道重要工艺，通过兆声清洗能够洗净附着在硅片以你們如今這殘兵敗將還想連我妖仙一起滅表面>0.3um以上的大部分颗粒，再通过免清洗的卡塞盒真空密封包装或者冲惰性气体包装，从而使硅片表面的洁净度达到集成电路的要求。
单晶硅是一种优良的高纯半导体材料，IC级别的纯度要求达到9N以上（99.9999999%），区熔单晶硅片甚至达到11N（99.999999999%）以上。通常通过直拉法（CZ）和区熔法（FZ）长晶得到，其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前最重要的半导体材料，占据半导体材料市场的90%以上，是信息技术和集成电路的基础材料。
